
Grafen - najlepszy z materiałów
14 stycznia 2008, 11:29Krzem wciąż pozostaje podstawowym materiałem używanym w elektronice i pomimo pojawiających się czasami głosów, iż jego czas dobiega końca, ciągły postęp technologiczny pozwala na znajdowanie kolejnych zastosowań dla tego materiału. Od pewnego czasu naukowcy zwracają coraz większą uwagę na grafen – dwuwymiarową strukturę atomów węgla ułożonych w heksagonalną sieć.

Samoorganizujący się tranzystor organiczny
5 marca 2008, 17:54Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne.

Lepsze badanie komórek
29 kwietnia 2009, 17:48Dzięki nowej technologii podłączania miniaturowych czujników, po raz pierwszy stało się możliwe jednoczesne zarejestrowanie sygnałów z różnych części komórki. Technologia ta umożliwi zbadanie, w jaki sposób funkcjonują i komunikują się ze sobą np. komórki serca czy mózgu.

Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS
28 stycznia 2010, 12:35Specjaliści z IBM-a otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.

Rewolucyjny hybrydowy układ pamięci
24 stycznia 2011, 11:59Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.

Bell Labs rezygnuje z badań nad półprzewodnikami
1 września 2008, 10:44Bell Labs, jedna z najbardziej zasłużonych instytucji badawczych w przemyśle IT, rezygnuje z badań nad układami scalonymi. Od sześciu lat, kiedy to z Bell Labs wydzielono grupę zajmującą się półprzewodnikami, wydział badań materiałowych i fizyki urządzeń chylił się ku upadkowi.

Krzem ma poważną konkurencję
10 grudnia 2012, 19:46Inżynierowie z MIT-u wyprodukowali najmniejszy tranzystor uzyskany z arsenku galu. Tym samym dowiedli, że materiał ten może w niedalekiej przyszłości zastąpić krzem w roli głównego półprzewodnika uzywanego w elektronice

Najszybszy grafenowy tranzystor
22 grudnia 2008, 12:33IBM poinformował o stworzeniu najbardziej wydajnego grafenowego tranzystora polowego. Urządzenie, które może pracować z najwyższymi notowanymi dotąd częstotliwościami, powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Applications (CERA).
Silicenowy tranzystor
4 lutego 2015, 13:41Włosko-amerykańskiemu zespołowi naukowców udało się zbudować pierwszy tranzystor z silicenu. Materiał ten to alotropowa, jednoatomowa odmiana krzemu, tworząca pofałdowaną warstwę przypominającą plaster miodu.
Teoretyczna pamięć fononowa
8 stycznia 2009, 12:34Lei Wang i Baowen Li, naukowcy z Singapuru badają możliwość wyprodukowania urządzeń przechowujących dane, które miałyby działać nie dzięki zmianom napięcia, a zmianom temperatury (falom cieplnym).
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …